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| 【動態(tài)】三菱電機宣布2013年量產(chǎn)SiC功率半導體 |
| （時間:2010-7-23 9:45:43） |
三菱電機公布了SiC功率半導體業(yè)務計劃。在該公司面向新聞媒體舉行的“功率器件業(yè)務說明會”(2010年7月15日在東京舉行)上，三菱電機專務執(zhí)行董事、半導體及器件業(yè)務本部長久間和生介紹了有關內(nèi)容(參閱本站報道)。該公司計劃從2011年度開始量產(chǎn)將SiC二極管與Si-IGBT組合在一起的混合型逆變器模塊，并在該年度內(nèi)首先配備到三菱電機制造的家電、產(chǎn)業(yè)設備以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等相關產(chǎn)品上。最初將用于面向日本國內(nèi)市場的產(chǎn)品上。該公司目前使用該公司的功率器件工廠(福岡縣福岡市)內(nèi)的100mm(4英寸)晶圓產(chǎn)生線來量產(chǎn)SiC二極管，計劃2013～2014年度量產(chǎn)將Si-IGBT換成SiC MOSFET的全SiC型逆變器模塊。
三菱電機2009年12月在功率器件制作所內(nèi)設立了處理能力為3000塊/月的100mm晶圓試制生產(chǎn)線�！斑@一處理能力可滿足目前的需求。力爭2010年代上半期從公司內(nèi)外獲得可實現(xiàn)全負荷生產(chǎn)的訂單”。該公司目前正在利用該生產(chǎn)線試制SiC二極管及SiC MOSFET，而且均獲得了超過預想的高成品率，將來還打算利用150mm(6英寸)直徑以上的晶圓來進行生產(chǎn)。該公司表示，雖然量產(chǎn)之初使用事先形成外延膜的外延晶圓，但為了提高器件質(zhì)量的控制性，今后還將考慮采購裸晶圓，在公司內(nèi)部形成外延膜。
對于配備SiC器件的逆變器模塊的用途，該公司表示“將配備在2011年度本公司生產(chǎn)的產(chǎn)品上，考慮的候選領域有3～4個”。具體包括家電、產(chǎn)業(yè)設備、太陽能發(fā)電系統(tǒng)相關產(chǎn)品等。另外該公司還將積極推進模塊的外銷業(yè)務。從中長期看，“在SiC器件的配備對象中汽車將占有相當大的比例”。
三菱電機此前發(fā)布了與SiC器件有關的大量開發(fā)成果。與這種情況相比，該公司的產(chǎn)品計劃則顯得比競爭公司更為謹慎。比如，在SiC二極管方面，日本廠商中羅姆已從2010年5月開始實施量產(chǎn)，新日本無線也計劃在2010年內(nèi)開始量產(chǎn)。對此，三菱電機表示“在使用新材料量產(chǎn)器件時，稍不留意就會失敗。我們將在SiC器件的質(zhì)量和成本得到確認之后再進行量產(chǎn)。比如，在量產(chǎn)前需要充分掌握什么缺陷會影響器件質(zhì)量，而什么缺陷不會影響器件質(zhì)量的機制”。并且該公司還表示，其在SiC器件業(yè)務上的勝算就在于，“對功率半導體所需要的封裝及模塊化，擁有其他公司沒有的豐富經(jīng)驗”。
在作為新一代高功率器件材料與SiC同樣備受關注的GaN方面，三菱電機已推出雷達等宇航領域使用的高頻功率放大器產(chǎn)品。至于在逆變器等功率半導體模塊上的應用，該公司表示“現(xiàn)有GaN器件(的溝道)為橫型，因此與縱型的SiC器件相比難以確保電流容量。不過，將來也有可能以實現(xiàn)在功率半導體模塊上應用為目標展開相關開發(fā)”。
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